單(dan)晶爐是(shi)利(li)用(yong)石墨加熱器在惰性氣(qi)體(主要(yao)是(shi)氮氣(qi)和氦氣(qi))環(huan)境中(zhong)熔化多晶硅等多晶硅材料(liao)，采用(yong)齊拉斯基法(fa)生長無位錯(cuo)單(dan)晶的一種設備。它的內部(bu)結構*其(qi)復雜。但是(shi)單(dan)晶硅棒的生產對(dui)環(huan)境要(yao)求非常高(gao)。如果爐體溫度過高(gao)，爐體會(hui)變(bian)形(xing)，影響設備尺寸和單(dan)晶硅棒的生長。如果爐體長期處于高(gao)溫環(huan)境的工(gong)作狀態，爐體上會(hui)出(chu)現裂紋，對(dui)爐體造成損壞，降(jiang)低(di)爐體的使用(yong)壽命(ming)。

   為(wei)了降低單晶(jing)爐(lu)工作過(guo)(guo)程中的(de)溫度，一般在單晶(jing)爐(lu)內設(she)(she)置冷(leng)卻(que)(que)結(jie)構，通過(guo)(guo)冷(leng)卻(que)(que)水(shui)(shui)(shui)循環系統將單晶(jing)爐(lu)內的(de)熱量(liang)帶走，從而降低單晶(jing)爐(lu)內的(de)溫度。但是，水(shui)(shui)(shui)冷(leng)卻(que)(que)系統需要配(pei)備(bei)(bei)冷(leng)水(shui)(shui)(shui)機組(zu)、冷(leng)卻(que)(que)池、冷(leng)卻(que)(que)水(shui)(shui)(shui)泵(beng)、熱交換(huan)器等設(she)(she)備(bei)(bei)。整個系統結(jie)構復雜(za)，占用空間大(da)，對(dui)水(shui)(shui)(shui)質和(he)流量(liang)有特殊(shu)要求。安裝和(he)使(shi)用困難。

半導(dao)體工藝設備為(wei)大(da)規模(mo)半導(dao)體制造(zao)提供了(le)制造(zao)基礎。描繪電子產業未來的(de)摩爾定律，將(jiang)導(dao)致(zhi)未來半導(dao)體器件的(de)集成化和小型化程度更(geng)高(gao)，功能更(geng)強。

單晶爐

單(dan)晶(jing)(jing)爐(lu)是一種(zhong)全自動直拉單(dan)晶(jing)(jing)生長爐(lu)，是利用石墨加熱器在惰(duo)性氣(qi)體(氮氣(qi)、氦氣(qi))環境(jing)中(zhong)熔化多(duo)(duo)晶(jing)(jing)硅等多(duo)(duo)晶(jing)(jing)材料(liao)，采用直拉法生長無位(wei)錯單(dan)晶(jing)(jing)的設備。

單晶(jing)硅爐的模(mo)型有兩種(zhong)命名方法，一種(zhong)是進料量，另一種(zhong)是爐膛(tang)直(zhi)徑(jing)(jing)。如120、150等型號由進料量決定，85爐指的是主爐筒直(zhi)徑(jing)(jing)。

單晶硅爐的主(zhu)體由(you)主(zhu)機(ji)、加熱電源和計算機(ji)控(kong)制(zhi)系(xi)統組成。

制冷機主要應用于空調冷卻系統、冷凍系列、注塑、制革、發泡、發電、汽輪機、鋁型材加工、空壓機、工業水冷卻等領域，應用最多的為空調冷卻、冷凍、塑膠化工行業。
工業生產或制冷工藝過程中產生的廢熱，一般要用冷卻水來導走。冷卻塔的作用是將挾帶廢熱的冷卻水在塔內與空氣進行熱交換，使廢熱傳輸給空氣并散入大氣中。
例如：火電廠內，鍋(guo)爐將水(shui)(shui)(shui)加熱(re)成高溫高壓蒸(zheng)汽，推動(dong)汽輪(lun)機做(zuo)功使(shi)(shi)發電機發電，經汽輪(lun)機作功后(hou)的廢汽排(pai)入冷(leng)(leng)凝器(qi)，與冷(leng)(leng)卻水(shui)(shui)(shui)進行熱(re)交換凝結(jie)成水(shui)(shui)(shui)，再用(yong)水(shui)(shui)(shui)泵打(da)回(hui)鍋(guo)爐循環使(shi)(shi)用(yong)。這一過(guo)程中乏汽的廢熱(re)傳給了冷(leng)(leng)卻水(shui)(shui)(shui)，使(shi)(shi)水(shui)(shui)(shui)溫度升高，挾帶廢熱(re)的冷(leng)(leng)卻水(shui)(shui)(shui)。

單晶硅片的工藝流程

硅(gui)，地(di)球上有(you)很(hen)多含硅(gui)的東西。似乎(hu)90%以上都是(shi)晶(jing)(jing)硅(gui)，也就是(shi)單晶(jing)(jing)硅(gui)。太陽能級硅(gui)的純度在6N以上。

首(shou)先是石頭(tou)(所有的(de)石頭(tou)都含有硅(gui))。將石頭(tou)加(jia)熱至液態(tai)，再加(jia)熱至氣態(tai)。讓氣體(ti)通過(guo)一個密(mi)封的(de)大(da)盒(he)子(zi)。盒(he)子(zi)里有N個以上(shang)的(de)子(zi)晶(jing)(jing)體(ti)用(yong)于(yu)加(jia)熱，兩端用(yong)石墨(mo)夾緊(jin)。當氣體(ti)穿過(guo)盒(he)子(zi)時，子(zi)晶(jing)(jing)體(ti)會將其中一種氣體(ti)吸收到子(zi)晶(jing)(jing)體(ti)上(shang)，子(zi)晶(jing)(jing)體(ti)就會逐漸變厚。因為氣體(ti)變成固(gu)體(ti)，很慢，大(da)約一個月左右，盒(he)子(zi)里有很多長(chang)初級多晶(jing)(jing)硅(gui)。

單晶硅芯片(pian)由此進入生產過程:

1. 酸洗:用稀硝酸HNO3進行清洗，去除精(jing)煉(lian)過程中(zhong)產(chan)生的表面雜質和四氯化(hua)硅。

2. 清洗:清洗酸洗后硅材(cai)料的殘留雜質。

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